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Laser Randentschichtung und Isocut von Dünnschicht-Solarzellen
  Bei der Randentschichtung von Dünnschicht-Solarzellen bieten unsere Lasersysteme erhebliche Vorteile gegenüber mechanischen Strahlverfahren oder dem Einsatz von Schleifscheiben:
 
- Berührungsloses Verfahren ohne Schädigung des Substrates, keine Mikrorisse
- Trockener Prozess ohne Strahlgut, keine Chemikalien, weniger Entsorgungsvolumen, 
  umweltfreundlicher
- Effektive Entschichtung von TCO, Halbleitern und Rückkontakten - 1000V-Test >10 GOhm
- Keine Nachreinigung notwendig
- Reproduzierbare Ergebnisse
- Optionale Laserreinigung der Schliffkanten!
- Flexibel - Entschichtungszonen können Glastoleranz angepasst werden
 
 
Inline-System zur Randentschichtung und Isocut
Substratgrösse bis zu 2200x2600mm 
Roboter System zur Randentschichtung
Substratgrösse bis zu 1100x1400mm

Unsere Lasersysteme erlauben die Randentschichtung aller Dünnschichtsolarzellen:

- alle metallischen Front- oder Rückkontakte (Mo, Al, Ag)
- alle gängigen Halbleiter (a-Si single junction/tandem junction, CIS, CIGS, CdTe)
- alle TCO-Schichten (ITO, ZnO, SnO2 )

Die hohe Strahlqualität unserer Systemen ersetzt je nach Schichtsystem den P4-Isoscribe. Auf Wunsch kann ein zusätzlicher Isoscribe (532nm / 1064nm) in die Randentschichtungsanlage integriert werden.  

Bitte nehmen Sie für weitere Informationen Kontakt mit uns auf. Lesen Sie eine Zusammenfassung zum Thema in unserer Kundenzeitschrift 4SURfaces oder in unserer Broschüre.










 

 
 
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